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詳細(xì)介紹了用于磷化硅電鍍的金材料的封堵技術(shù)
發(fā)表時(shí)間: 2020-06-02 0:03:41瀏覽: 227
[文本]通過(guò)電鍍技術(shù)填充微孔的過(guò)程是以“倒裝”方式進(jìn)行的,也就是說(shuō),在鍍銅過(guò)程中,微孔底部的銅沉積速度最快。但是,在制造IC封裝基板時(shí),由于HDI和未來(lái)的三維結(jié)構(gòu)的要求,不僅需要填充微孔,而且還需要填充通孔。在任何情況下,通孔的幾何特性(形狀,結(jié)構(gòu),尺寸等)總是與微通孔不同,這將不可避免地帶來(lái)液體(鍍液)的不同流動(dòng)特性。文獻(xiàn)報(bào)告指出,對(duì)于微孔倒置的微孔來(lái)說(shuō),強(qiáng)制遷移(對(duì)流)是重要的物理因素,也就是說(shuō),強(qiáng)制遷移會(huì)強(qiáng)烈影響板的表面,而微孔的強(qiáng)烈(動(dòng)態(tài))沖擊是可以接受的底部是有限的。某些添加劑的化學(xué)作用取決于這種遷移關(guān)系是有意義的。因此,在電鍍過(guò)程中,強(qiáng)制遷移可以促進(jìn)抑制劑在銅表面上的優(yōu)先吸附,從而可以通過(guò)調(diào)節(jié)電鍍液的流速來(lái)提高空穴填充性能和電鍍液的效果。從這個(gè)角度來(lái)看,由于孔的幾何形狀不同,用于填充微通孔的鍍液的成分與用于填充通孔的鍍液的成分不同。包含用于填充孔的促進(jìn)劑的電鍍可以加快微孔底部的銅沉積速率,并且可以認(rèn)為其遷移取決于吸附。這些電鍍方案可以稱(chēng)為促進(jìn)劑配方。對(duì)于“無(wú)底填充通孔”,不能使用含促進(jìn)劑的配方(仍然值得商)),而不是無(wú)促進(jìn)劑的配方,即用于通孔的銅沉積具有很強(qiáng)的抑制作用。藥劑的鍍液以形貌的電壓(電流密度)分布的方式被吸附,從而抑制劑的吸附濃度從孔口到孔的中心形成濃度差。在電鍍過(guò)程中,理想地建立了這樣的濃度差分布,并且最快的銅沉積速率將發(fā)生在孔的中心。在通孔電鍍中,沒(méi)有促進(jìn)劑成分的填充機(jī)理是以吸附-消耗-擴(kuò)散模式的改善(調(diào)整)為基本概念的。其中,要考慮帶正電荷的添加劑的遷移問(wèn)題。實(shí)際上,由于許多帶有季銨鹽的流平劑會(huì)擠壓正電荷,因此當(dāng)這種添加劑由于AFF的遷移而導(dǎo)致通孔中心(TH)具有堵塞孔的作用時(shí),似乎也可以用于微通孔的孔填充效果。如果結(jié)果是這樣,則可以將AFF用于微型通孔和TH孔,以獲得連續(xù)的孔填充效果。下面,我們將回顧這項(xiàng)研究的可行性。 1實(shí)驗(yàn)方法和實(shí)驗(yàn)將CO2激光形成的微通孔和機(jī)械鉆孔形成的TH孔用作PCB電鍍樣品。 PCB樣品的大小是6厘米/厘米2。微通孔和TH孔的壁是化學(xué)鍍銅。要進(jìn)行金屬化,然后進(jìn)行銅電鍍,并在填充孔之前使銅鍍層的厚度達(dá)到2μm,m-3mu,m。使用兩種含磷的銅作為陽(yáng)極,將其直接放入00ml浴中進(jìn)行鍍銅。詳細(xì)討論了電鍍槽的情況。用于所有電鍍測(cè)試的基本電鍍液成分為0.88MCuSO45H2O,0.54MH2SO4,并且將其他添加劑(例如SPS,強(qiáng)抑制劑,PEG,聚集劑等)通過(guò)稀釋的儲(chǔ)備液添加到電鍍槽中。這些添加劑儲(chǔ)備溶液以適當(dāng)?shù)臐舛戎苽?。通過(guò)光學(xué)顯微鏡使用微通孔和TH孔的橫截面(切面)來(lái)測(cè)量孔的填充性能。結(jié)果與討論已知吸附銅表面上的Cl-離子取決于電位。另外,Cl-離子的電勢(shì)依賴(lài)性吸附取決于整個(gè)溶液的濃度。當(dāng)Cl-離子濃度低于20倍(10-6)時(shí),只要整個(gè)陰極電勢(shì)高于特定值,PDA的行為即為Cl-離子從銅表面脫附的特征在于之間的排斥力負(fù)電荷和強(qiáng)負(fù)Cl。一旦Cl-離子濃度高于20倍(10-6),則CuCl容易在銅表面形成,然后PDA就會(huì)消失。
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